据BusinessKorea报道，三星电子副董事长李在镕于6月中旬结束了对欧洲的商务访问。在此期间，他与ASML就引进荷兰半导体设备制造商的下一代极紫外光刻设备进行了会谈。
报道称，李在镕6月14日在荷兰ASML总部会见了ASML首席执行官彼得·文宁克(Peter Wennink)和首席技术官马丁·范登·布林克(Martin van den Brink)，就引进今年生产的EUV光刻设备和计划明年推出的高数值孔径(High-NA)EUV光刻设备达成了协议。
高NA EUV是下一代光刻设备，与现有的EUV光刻设备相比，可以雕刻更精细的电路。被认为是改变游戏规则的设备，将决定3 nm以下OEM市场技术竞争的胜负。
IT之家了解到，高NA EUV光刻设备的单价估计为5000亿韩元，是现有EUV光刻设备的两倍。
今年早些时候，英特尔宣布，它已经签署了一份合同，购买5台这种设备，用于2025年生产1.8纳米芯片。TSMC 6月16日在美国硅谷技术研讨会上也表示，将于2024年在全球首次将高NA EUV光刻设备引入其工艺。
在这场下一代EUV光刻设备的竞争中，三星电子还寻求获得最新的EUV设备。李在镕此次欧洲之行主要是为了确保获得下一代高NA EUV光刻设备和目前正在生产的最新一代设备。ASML今年只能生产50台EUV设备，交货期为一年到一年零六个月。该公司有限的产能和较长的交货时间导致了高NA EUV光刻设备的预购竞争。
三星电子将高NA EUV光刻设备实际应用于其半导体工艺的确切时间尚未确定。然而，考虑到交付时间，预计三星电子将在2024年实际使用高NA EUV光刻设备。
一些行业观察人士呼吁韩国政府对半导体设施的投资给予更多支持。据报道，三星电子已经获得了今年计划生产的55台EUV光刻设备中的18台。这意味着该公司仅在EUV光刻设备上的投资就将超过4万亿韩元。
“如果三星购买10台高NA EUV光刻设备，公司将花费超过5万亿韩元，”一位业内人士表示。“有必要扩大政府支持，以提高韩国的国家产业竞争力”。
